通常，OLED中的激子有兩種形態，即三重態和單重態。單重態需要更多能量。盡管它們可以轉換成三重態，但是它們形成的過程首先就需要更多能量。研究人員找到了一種降低OLED中電壓的方法，以便只會形成三重態。
為了更好地了解激子產生過程背后的物理現象，研究人員使用掃描式隧道顯微鏡結合光學檢測系統進行了精確的單分子電致發光測量。他們制備了一個基于分離有機半導體分子的模型系統，稱為3,4,9,10-四羧酸酐（PTCDA），吸附在金屬支撐的超薄絕緣薄膜上。
首先，他們向該有機半導體分子輸入負電荷；然后，通過來自掃描式隧道顯微鏡的電流，他們誘導分子發光并監測產生了哪種類型的激子。測量結果表明，在低電壓下，僅形成了三重態。理論計算也證實了這一實驗結果。
該團隊的研究成果，或將成為一種需要更低運行電壓的新型OLED的依據。
